LED显示屏的显示品质向来与恒流驱动芯片密切相关，如鬼影、坏点十字架、低灰偏色、初次偏暗、高对比度耦合，而仅作为扫描需求的行驱动则被忽视。LED显示技术的发展，使得 LED显示屏对线驱动的需求也越来越高，从简单的P-MOSFET实时性转换到更高集成度和更强功能的多功能行驱动。而行驱动的设计和选择也面临着六大难题：鬼影、灯珠反向电压、短路毛虫、开路交叉、灯珠 VF偏大、高对比度耦合。长沙显示屏公司接下来带您一起来探讨 LED显示屏的鬼影问题。

当扫描屏幕进行切换时， PMOS管的开闭和行线寄生电容 Cr的电荷排出要花费一定的时间，所以在下一行扫 VLED和 OUT接通的一刹那，上一排扫 VLED的未被释放的电荷有一个导电通路。当 Row （n）断开时，将线寄生电容器 Cr向 VCC电势充电。当转换为“Row”（n+1）时， Cr和 OUT间的电势差异会被释放出来，从而导致 LED的隐光。

因此，在换行过程中，必须事先将 Cr上的电荷释放出来，一般集成了消隐功能的行管，在开关过程中增加了一个下拉电路，使寄生电容 Cr的电荷迅速释放出来。VH VCC-1.4 V的情况下，可以从根本上解决短路冒充的问题。在VCC-2V< VH< VCC-1.4 V的情况下，只有一只在短路点下面的红色发光二极管被点亮。

开式交叉

在扫描屏幕上，当灯珠打开时，OUT1的电压下降到0.5 V。如果扫描行电势消隐电压 VH是3.5 V，那么这列灯珠就会产生一个导电通道，从而产生一个开路毛虫。

在灯珠开路的情况下，OUT1通道的电压下降到0.5 V，甚至0 V，并且由于寄生电容C1,C2对列寄生电容 Cr产生影响，在 Cr电位被拉低时，与开路灯珠同一行的 LED会变暗。

通过降低消隐器的消隐电压，可以有效地解决消隐电压 VH小于1.4 V的开路交叉问题。业界也有类似的做法，采用了可调整的消隐电压，把消隐电压降低到1.4 V以下，但是会造成 LED的逆压增加，加快 LED灯珠的损伤和短路轨迹。

灯珠 VF偏高

因灯珠 VF值过大而造成的雷长亮现象也是使用者使用时遇到的难题。一般绿灯额定的正向电压 VF是2.4-3.4 V，正常情况下，绿灯和阴极电压相差1.8 V即可点亮，但如果行管消隐电压 VH太高，则会引起列常亮。

将灯珠的正向电压VF1=3.4 V作为列， VOUT和VLED1在对第二灯珠进行扫描时被同时开启，信道末端电压： VOUT=VLED1-VF1

其它行灯珠上的电压： V△=VH-VOUT=VH-VLED1+VF1

如果 V△>1.8 V，则会出现“列常亮”，也就是VLED1+VF1>1.8 V，而 VLED= VCC (VCC)，则 VH> VCC-1.6 V将不利于解决由 VF值偏大而引起的列常亮问题。

高反差耦合

高反差是指在低亮度背景下，将高亮度图像叠加到高亮度图像上，并使其与高亮度图像并行的区域出现偏色、偏暗现象，虚线是重叠高亮图像。高反差耦合是由列沟道经行管互相干扰所致，采用设计钳位电压的方法，即在放电结束后维持在一定水平，使行管消隐电压降低，可以在一定程度上改良高反差。但是这种设计方式会造成短路列的暗淡、低灰偏红、灯珠 VF偏大等问题。从线驱动的角度提高高反差，可以降低消隐电压，但是也会造成灯珠的反压偏大，产生短路轨迹。

行管消隐电压的选取

从以上六个方面可以看出，行管消隐电压的选取面临着六个难题，其中消隐电压不宜太高或太低。由于过低的消隐电压会降低灯珠在长时间内的可靠性，所以一般都是通过恒流驱动来检测。下面的表格概括了不同情况下的适当的消隐电压。